Door de vooruitgang van technologie en efficiëntie is de toepassing van LED's de laatste jaren steeds uitgebreider geworden;met het upgraden van LED-toepassingen heeft de marktvraag naar LED's zich ook ontwikkeld in de richting van een hoger vermogen en een hogere helderheid, ook wel bekend als high-power LED's..

　　Voor het ontwerp van krachtige LED's gebruiken de meeste grote fabrikanten momenteel grote enkelvoudige laagspannings-DC-LED's als steunpilaar.Er zijn twee benaderingen, de ene is een traditionele horizontale structuur en de andere is een verticale geleidende structuur.Wat de eerste benadering betreft, is het fabricageproces bijna hetzelfde als dat van de algemene kleine matrijs.Met andere woorden, de dwarsdoorsnedestructuur van de twee is hetzelfde, maar verschilt van de kleine dobbelsteen, krachtige LED's moeten vaak met grote stromen werken.Hieronder zal een enigszins ongebalanceerd ontwerp van de P- en N-elektrode een serieus stroomverdringingseffect veroorzaken (huidige verdringing), waardoor de LED-chip niet alleen de helderheid bereikt die het ontwerp vereist, maar ook de betrouwbaarheid van de chip schaadt.

Voor stroomopwaartse chipfabrikanten/chipmakers heeft deze aanpak natuurlijk een hoge procescompatibiliteit (CompaTIbility) en is het niet nodig om nieuwe of speciale machines aan te schaffen.Aan de andere kant, voor stroomafwaartse systeemmakers, de perifere collocatie, zoals het ontwerp van de voeding, enz., is het verschil niet groot.Maar zoals hierboven vermeld, is het niet eenvoudig om de stroom gelijkmatig te verdelen over grote LED's.Hoe groter het formaat, hoe moeilijker het is.Tegelijkertijd is, vanwege geometrische effecten, de lichtonttrekkingsefficiëntie van grote LED's vaak lager dan die van kleinere..De tweede methode is veel ingewikkelder dan de eerste methode.Aangezien de huidige commerciële blauwe LED's bijna allemaal op het saffiersubstraat worden gekweekt, moet het, om naar een verticale geleidende structuur te veranderen, eerst aan het geleidende substraat worden gehecht en vervolgens het niet-geleidende. Het saffiersubstraat wordt verwijderd en vervolgens het daaropvolgende proces is voltooid;in termen van stroomverdeling, omdat er in de verticale structuur minder rekening hoeft te worden gehouden met de laterale geleiding, dus de huidige uniformiteit is beter dan de traditionele horizontale structuur;daarnaast hebben materialen met een goede elektrische geleidbaarheid in termen van fysische principes ook de kenmerken van een hoge thermische geleidbaarheid.Door het substraat te vervangen, verbeteren we ook de warmteafvoer en verlagen we de junctietemperatuur, wat indirect de lichtopbrengst verbetert.Het grootste nadeel van deze aanpak is echter dat vanwege de toegenomen procescomplexiteit het rendement lager is dan dat van de traditionele niveaustructuur en de productiekosten veel hoger zijn.